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NJVMJD350T4G

产品描述Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NJVMJD350T4G概述

Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR

NJVMJD350T4G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 369C, DPAK-3/2
针数3
制造商包装代码369C
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)15 W
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz
Base Number Matches1

NJVMJD350T4G相似产品对比

NJVMJD350T4G NJVMJD340T4G
描述 Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 300V TR
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
包装说明 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 369C, DPAK-3/2 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 369C, DPAK-3/2
针数 3 3
制造商包装代码 369C 369C
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 6 weeks 1 week
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 300 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) 15 W 15 W
参考标准 AEC-Q101 AEC-Q101
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz
请高手指教新手!!!!!关于网上所说的adc0809 做的数字电压表是否有问题????
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