BUT12TU: 产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小27KB，共3页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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BUT12TU概述

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor

BUT12TU规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ON Semiconductor(安森美)
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT
RoHS	Details
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-220-3
Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	400 V
Collector- Base Voltage VCBO	850 V
Maximum DC Collector Current	8 A
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 65 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
高度 Height	9.4 mm (Max)
长度 Length	10.1 mm (Max)
系列 Packaging	Tube
宽度 Width	4.7 mm (Max)
Continuous Collector Current	8 A
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	100 W
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	50
单位重量 Unit Weight	0.080072 oz

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BUT12/12A

High Voltage Power Switching Applications

TO-220

2.Collector

3.Emitter

1.Base

NPN Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings

=25°C unless otherwise noted

Symbol

CBO

Collector-Base Voltage

: BUT12

: BUT12A

CEO

Collector-Emitter Voltage

: BUT12

: BUT12A

Collector Current (DC)

*Collector Current (Pulse)

Base Current

Collector Dissipation (T

=25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

850

1000

400

450

100

150

- 65 ~ 175

°C

Parameter

Value

Units

STG

Electrical Characteristics

=25°C unless otherwise noted

Symbol

CEO

(sus)

CES

EBO

(sat)

STG

Parameter

* Collector-Emitter Sustaining Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

* Collector-Emitter Saturation Voltage

* Base-Emitter Saturation Voltage

Turn On Time

Storage Time

Fall Time

Test Condition

= 100mA, L = 25mH

= V

CES

, V

= 0

= 9V, I

= 0

= 6A, I

= 1.2A

= 6A, I

= 1.2A

= 250V, I

= 6A

= - I

= 1.2A

= 41.6Ω

Min.

400

Typ.

Max.

1.5

0.8

Units

µs

* Pulsed Test: PW = 300µs, duty cycle = 1.5%

Rev. A1, August 2001

BUT12TU相似产品对比

	BUT12TU	BUT12A
描述	Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor	Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Bipolar Transistors - BJT
RoHS	Details	Details
安装风格 Mounting Style	Through Hole	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-220-3	TO-220-3
Transistor Polarity	NPN	NPN
Configuration	Single	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	400 V	450 V
Collector- Base Voltage VCBO	850 V	1 kV
Maximum DC Collector Current	8 A	8 A
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 65 C	- 65 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	+ 150 C
高度 Height	9.4 mm (Max)	9.4 mm (Max)
长度 Length	10.1 mm (Max)	10.1 mm (Max)
系列 Packaging	Tube	Bulk
宽度 Width	4.7 mm (Max)	4.7 mm (Max)
Continuous Collector Current	8 A	8 A
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	100 W	100 W
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	50	200
单位重量 Unit Weight	0.080072 oz	0.080072 oz

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