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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> AS6C2008-55STIN
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AS6C2008-55STIN

产品描述SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
产品类别存储    存储   
文件大小3MB，共13页
制造商Alliance Memory
标准
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AS6C2008-55STIN在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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AS6C2008-55STIN概述

SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM

AS6C2008-55STIN规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Alliance Memory
零件包装代码TSOP
包装说明LSSOP, TSSOP32,.56,20
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
长度11.8 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSSOP
封装等效代码TSSOP32,.56,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）260
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.25 mm
最大待机电流0.00001 A
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度8 mm

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February 2007
®
AS6C2008
Rev. 1.1
256K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
GENERAL DESCRIPTION
The AS6C2008 is a 2,097,152-bit low power CMOS
static random access memory organized as 262,144
words by 8 bits. It is fabricated using very high
performance, high reliability CMOS technology. Its
standby current is stable within the range of
operating temperature.
The AS6C2008 is well designed for very low power
system applications, and particularly well suited for
battery back-up nonvolatile memory application.
The AS6C2008 operates from a single power
supply of 2.7V ~ 3.6V
.
FEATURES
Access time : 55ns
Low power consumption:
Operating current :20mA (TYP.)
Standby current : 20mA(TYP.)L Version
1µ
A (TYP.) LL-version
Single 2.7V ~ 3.6V power supply
Fully static operation
Tri-state output
Data retention voltage : 1.5V (MIN.)
All Products ROHS Compliant
Package : 32-pin 450 mil SOP
32-pin 8mm x 20mm TSOP-I
32-pin 8mm x 13.4mm sTSOP
36-ball 6mm x 8mm TFBGA
PRODUCT FAMILY
Product
Family
Operating
Temperature
Vcc Range
Speed
Power Dissipation
Standby(I
SB1,
TYP.) Operating(Icc,TYP.)
AS6C2008 (I)
-40 ~ 85ºC
2
.7 ~ 3.6V
55ns
20µA(L)/1µA(LL)
20mA
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
PIN DESCRIPTION
SYMBOL
DESCRIPTION
Address Inputs
Data Inputs/Outputs
Chip Enable Inputs
Write Enable Input
Output Enable Input
Power Supply
Ground
No Connection
A0 - A17
DQ0 – DQ7
CE#, CE2
WE#
OE#
V
CC
V
SS
NC
Vcc
Vss
A0-A17
DECODER
256Kx8
MEMORY ARRAY
DQ0-DQ7
I/O DATA
CIRCUIT
COLUMN I/O
CE#
CE2
WE#
OE#
CONTROL
CIRCUIT
10/February/07, v.1.0
Alliance Memory Inc.
Page 1 of 13

AS6C2008-55STIN相似产品对比

AS6C2008-55STIN AS6C2008-55SIN AS6C2008-55TIN AS6C2008-55TINTR AS6C2008-55BIN
描述 SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 NOT SPECIFIED 260
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 NOT SPECIFIED 40
零件包装代码 TSOP SOIC TSOP1 - BGA
包装说明 LSSOP, TSSOP32,.56,20 SOP, SOP32,.56 TSOP1, TSSOP32,.8,20 - TFBGA, BGA36,6X8,30
针数 32 32 32 - 36
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A - 3A991.B.2.A
Factory Lead Time 8 weeks - - 8 weeks 8 weeks
最长访问时间 55 ns 55 ns 55 ns - 55 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON - COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 - R-PBGA-B36
长度 11.8 mm - 18.4 mm - 8 mm
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit - 2097152 bit
内存宽度 8 8 8 - 8
湿度敏感等级 3 3 3 - 3
功能数量 1 1 1 - 1
端子数量 32 32 32 - 36
字数 262144 words 262144 words 262144 words - 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 - 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C - 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C - -40 °C
组织 256KX8 256KX8 256KX8 - 256KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 LSSOP SOP TSOP1 - TFBGA
封装等效代码 TSSOP32,.56,20 SOP32,.56 TSSOP32,.8,20 - BGA36,6X8,30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL
电源 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V - 3/3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 1.25 mm 2.997 mm 1.2 mm - 1.2 mm
最大待机电流 0.00001 A 0.00001 A 0.00001 A - 0.00001 A
最小待机电流 1.5 V 1.5 V 1.5 V - 1.5 V
最大压摆率 0.035 mA 0.035 mA 0.035 mA - 0.035 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V - 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V - 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V - 3 V
表面贴装 YES YES YES - YES
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING - BALL
端子节距 0.5 mm 1.27 mm 0.5 mm - 0.75 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL - BOTTOM
宽度 8 mm 11.303 mm 8 mm - 6 mm
Base Number Matches - 1 1 1 1

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