IC FLASH 3.3V PROM, Programmable ROM
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Objectid | 1839517222 |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | VFBGA, |
针数 | 63 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | Toshiba |
Samacsys Modified On | 2023-08-02 11:27:20 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B63 |
长度 | 11 mm |
内存密度 | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 63 |
字数 | 268435456 words |
字数代码 | 256000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
编程电压 | 3.3 V |
座面最大高度 | 1 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
类型 | SLC NAND TYPE |
宽度 | 9 mm |
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