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TC58NVG1S3HBAI4

产品描述IC FLASH 3.3V PROM, Programmable ROM
产品类别存储    存储   
文件大小709KB,共66页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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TC58NVG1S3HBAI4在线购买

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TC58NVG1S3HBAI4概述

IC FLASH 3.3V PROM, Programmable ROM

TC58NVG1S3HBAI4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1839517222
零件包装代码BGA
包装说明VFBGA,
针数63
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Samacsys ManufacturerToshiba
Samacsys Modified On2023-08-02 11:27:20
JESD-30 代码R-PBGA-B63
长度11 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量63
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压3.3 V
座面最大高度1 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
类型SLC NAND TYPE
宽度9 mm

 
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