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1N5551US

产品描述Rectifiers D MET 3A STD 400V
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小122KB,共4页
制造商SEMTECH
官网地址http://www.semtech.com
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1N5551US概述

Rectifiers D MET 3A STD 400V

1N5551US规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMTECH
包装说明HERMETIC SEALED PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks
Is SamacsysN
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

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1N5550US THRU 1N5554US
Surface Mount Hermetically Sealed
Standard Recovery Rectifier Diode
POWER DISCRETES
Description
Quick reference data
V
R
= 200 - 1000V
I
F =
5.0A
t
rr
= 2µS
V
F
= 1.0V
Features
Low reverse leakage current
Hermetically sealed in fused metal oxide
Good thermal shock resistance
Low forward voltage drop
Avalanche capability
These products are qualified to MIL-PRF-19500/420.
They can be supplied fully released as JAN, JANTX,
and JANTXV versions.
Absolute Maximum Ratings
Electrical specifications @ T
A
= 25°C unless otherwise specified.
Symbol
Working Reverse Voltage
Average Forward Current
@ 55 °C in free air, lead length
0.375"
Repetitive Surge Current
@ 55 °C in free air, lead length
0.375"
Non-Repetitive Surge Current
(tp = 8.3mS @ V
R
& T
JMAX
)
(tp = 8.3mS, @ V
R
& 25 °C)
Storage Temperature Range
V
RWM
I
F(AV)
1N 5550U S 1N 5551U S 1N 5552U S 1N 5553U S
1N 5554U S
Units
V
A
200
400
600
5.0
800
1000
I
FRM
25
A
I
FSM
T
STG
100
150
-65 to +175
A
°C
Revision: August 22nd, 2011
1
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