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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IPB100N04S2-04

IPB100N04S2-04: 产品描述MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小151KB，共8页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IPB100N04S2-04在线购买

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IPB100N04S2-04概述

MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS

IPB100N04S2-04规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	810 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	100 A
最大漏极电流 (ID)	100 A
最大漏源导通电阻	0.0033 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	400 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管元件材料	SILICON

IPB100N04S2-04相似产品对比

	IPB100N04S2-04	IPP100N04S204	IPB100N04S204ATMA1
描述	MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS	MOSFET MOSFET	MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS
厂商名称	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	compliant	-	compliant
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
Factory Lead Time	1 week	-	1 week
其他特性	AVALANCHE RATED	-	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	810 mJ	-	810 mJ
外壳连接	DRAIN	-	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	40 V	-	40 V
最大漏极电流 (ID)	100 A	-	100 A
最大漏源导通电阻	0.0033 Ω	-	0.0033 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	-	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	-	R-PSSO-G2
元件数量	1	-	1
端子数量	2	-	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	400 A	-	400 A
表面贴装	YES	-	YES
端子形式	GULL WING	-	GULL WING
端子位置	SINGLE	-	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON

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