电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IPP100N04S204

产品描述MOSFET MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小151KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IPP100N04S204在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
IPP100N04S204 - - 点击查看 点击购买

IPP100N04S204概述

MOSFET MOSFET

IPP100N04S204规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage40 V
Id - Continuous Drain Current100 A
Rds On - Drain-Source Resistance3.6 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
300 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Tube
高度
Height
15.65 mm
长度
Length
10 mm
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
4.4 mm
Fall Time33 ns
NumOfPackaging1
Rise Time46 ns
Typical Turn-Off Delay Time56 ns
Typical Turn-On Delay Time27 ns
单位重量
Unit Weight
0.211644 oz

IPP100N04S204相似产品对比

IPP100N04S204 IPB100N04S2-04 IPB100N04S204ATMA1
描述 MOSFET MOSFET MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS
厂商名称 - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code - compliant compliant
ECCN代码 - EAR99 EAR99
Factory Lead Time - 1 week 1 week
其他特性 - AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) - 810 mJ 810 mJ
外壳连接 - DRAIN DRAIN
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 - 40 V 40 V
最大漏极电流 (ID) - 100 A 100 A
最大漏源导通电阻 - 0.0033 Ω 0.0033 Ω
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 - TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 - 1 1
端子数量 - 2 2
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 400 A 400 A
表面贴装 - YES YES
端子形式 - GULL WING GULL WING
端子位置 - SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
iTOP-4412开发板-串口基础知识和测试方法
本文档介绍嵌入式上串口通用的基础知识和测试方法。请注意文档中,关于硬件的很多描述都带有一般情况这样的字样,表明是有特殊情况的,但是在大多数情况下,去掉一般情况都是正确的。硬件很多情况下是模糊,偏向于差不多,执着于硬件系统长时间在特定环境下稳定运行最重要,在设计上一定有取舍,虽然有一个最优解,我们只能尽量接近最优解,但是永远不能到达。硬件不像软件,每一个接口都是严格定义,不允许有差不多的情况。1 基...
马佳徐徐 嵌入式系统
硬件开发流程及规范---附录
由于附录中多是文字和流程图的结合,所以不好上传到博客,有需要的朋友可以回复留下您的email,抽空给您发过去。给您带来不便还请谅解!...
chenky 嵌入式系统
现在还可以申请LPC1500开发板吗?
现在还可以申请LPC1500开发板吗?...
dcexpert NXP MCU
CC3200 LaunchPad开箱例程Out of Box测试之sprinkler
[align=left][color=rgb(0, 0, 0)][font=Calibri, sans-serif][size=10.5pt]Out of Box是CC3200 LaunchPad的开箱例程[/size][/font][/color][/align][align=left][color=rgb(0, 0, 0)][font=Calibri, sans-serif][size=10....
littleshrimp 无线连接
上传头像,前来报到
看大家都有头像。我也上个头头。欢迎大家PS(小声说。就是本人)...
leang521 聊聊、笑笑、闹闹

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 424  1029  1315  1356  1677 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved