IDT72403L35PB,IDT72403L35PB pdf中文资料,IDT72403L35PB引脚图,IDT72403L35PB电路-Datasheet-电子工程世界

IDT72403L35PB: 产品描述FIFO, 64X4, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP16, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16; 产品类别存储; 文件大小96KB，共9页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT72403L35PB概述

FIFO, 64X4, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP16, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16
针数	16
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最长访问时间	20 ns
其他特性	FALL THRU 34NS
最大时钟频率 (fCLK)	35 MHz
周期时间	28.57 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T16
JESD-609代码	e0
长度	19.1135 mm
内存密度	256 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	4
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	16
字数	64 words
字数代码	64
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	64X4
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度	4.191 mm
最大压摆率	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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