电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HM70301R210LFTR13

产品描述High Power Shielded Low Profile Surface Mount Inductors
文件大小715KB,共3页
制造商BITECH
官网地址http://www.bitechnologies.com/
下载文档 全文预览

HM70301R210LFTR13概述

High Power Shielded Low Profile Surface Mount Inductors

文档预览

下载PDF文档
Electrical / Environmental

RoH
il a
S
t
n
Comp
High Power Shielded Low Profile
Surface Mount Inductors
• Operating Temperature Range
• Temperature Rise, Maximum
-40°C to +180°C
50°C
Specifications
Inductance
100kHz, 0.1V
@ I
sat
@ 0 Adc
(
µ
H)
(
µ
H±20%)
Typ.
Min.
Typ.
1.00
1.33
1.94
0.83
1.50
2.10
1.30
1.50
1.20
1.60
0.70
1.20
5.00
10.0
1.20
2.00
0.63
0.93
1.28
0.488
0.80
1.12
0.80
0.97
0.92
1.15
0.40
0.80
3.60
6.80
0.80
1.20
0.70
1.16
1.60
0.61
1.00
1.40
1.00
1.20
1.02
1.44
0.52
0.90
4.30
8.00
1.00
1.60
DCR
(m
)
Typ.
2.53
3.38
4.71
1.75
2.16
3.48
2.16
4.00
1.75
2.13
1.05
1.68
6.50
12.0
1.37
2.20
(1)
Part
Number
HM70-101R0LF
HM70-201R3LF
HM70-201R9LF
HM70-25R80LF
HM70-301R5LF
HM70-302R0LF
HM70-321R3LF
HM70-351R5LF
HM70-401R2LF
HM70-401R6LF
HM70-50R70LF
HM70-501R2LF
HM70-505R0LF
HM70-50100LF
HM70-601R2LF
HM70-602R0LF
Notes:
I
sat
@ 25°C
(Adc)
16
16
12
18
16
12
16
18
18
20
30
24
7
7
20
15
(2)
Max.
2.90
3.74
5.42
2.01
2.48
4.00
2.48
4.50
1.80
2.36
1.26
2.00
8.00
15.0
1.58
2.60
Heating
Current
(Adc)
∆T=50°C
15
13
11
19
17
14
17
13
22
20
31
25
13
9
28
22
(3)
Core Loss
Factor
K1
9.07E-11
1.24E-10
1.24E-10
1.51E-10
1.40E-10
1.53E-10
1.66E-10
1.35E-10
1.80E-10
1.67E-10
1.99E-10
1.99E-10
2.21E-10
2.21E-10
2.21E-10
2.21E-10
(4)
K2
170.67
157.15
189.83
118.84
183.07
196.09
140.35
166.20
129.45
151.67
88.15
110.82
219.63
316.67
108.94
143.34
Fig.
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
2
2
2
2
2
2
(1) DC resistance is measured at 25°C
(2) The saturation current (I
sat
) is the current at which the inductance will be decreased by 20% from its initial (zero DC) value.
(3) The heating current is the DC current, which causes the component temperature to increase by approximately 50°C. This current is determined by
soldering the component on a typical application PCB, and then apply the current to the device for 30 minutes.
(4) Core Loss approximation is based on published core data:
Core Loss (Pfe) = K1 * (f)
1.338
* (K2∆I)
2.2546
Where: core loss in watt
f = frequency in kHz
K1 and K2 = core loss factor
∆I
= delta I across the component in Amp.
K2∆I = one half of the peak to peak flux density across the component in Gauss
Electrical Characteristics @ 25°C
(A) Case size 10, 20, 25, 30 & 40
2007/08 EDITION MAGNETIC COMPONENTS SELECTOR GUIDE
www.bitechnologies.com
We reserve the right to change specifications without prior notice
67
微波天线参数的简便测量法
微波天线测量对天线很重要,不可或缺的一部分。参数测量的方法也很多,本文只是一些介绍...
JasonYoo 测试/测量
CO气体探测器(2015瑞萨电子设计大赛作品)
本帖最后由 陈纬 于 2015-11-22 17:11 编辑 http://v.youku.com/v_show/id_XMTM5MjU1NjIzMg==.html?from=y1.7-1.2 ...
陈纬 瑞萨MCU/MPU
一个简单的小程序,求助
下面是小弟编的一个加减计数器的程序,modulecount4(clk,pwm_pro,count);inputclk;inputpwm_pro;outputcount;regcount;regflag;initialbeginflag=1'b0;count=8'b00000000;endalways@(posedgeclk ......
lelemao FPGA/CPLD
wince 4.2
4.2支持activesync吗 我在一个类似于s3c2410的板子,叫dm2410+上用,不行 也不支持u盘 不晓得怎样把开发的程序下载进去 wince4.2跟板子连接下载时,有什么的技巧吗 我试了很多次,就成功 ......
keye200 嵌入式系统
飞思卡尔Kinetis L系列MCU扫盲帖--8位MCU的终结者
飞思卡尔采用ARM Cortex M0+内核的Kinetis L系列产品在9月25日就开始大量供应了,近日在2012工业计算机及嵌入式系统展上重点展示了此解决方案。 据飞思卡尔汽车和工业方案事业部亚太区市 ......
qinkaiabc NXP MCU
为什么要片内RAM大的DSP效率高?
目前DSP发展的片内存储器RAM越来越大,要设计高效的DSP系统,就应该选择片内RAM较大的DSP。片内RAM同片外存储器相比,有以下优点: 1)片内RAM的速度较快,可以保证DSP无等待运行。 2)对于 ......
Jacktang DSP 与 ARM 处理器

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1493  1855  1582  1098  2823  15  1  47  25  42 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved