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HY5PS1G821LM-E3

产品描述1Gb DDR2 SDRAM(DDP)
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共79页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5PS1G821LM-E3概述

1Gb DDR2 SDRAM(DDP)

HY5PS1G821LM-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA, BGA63,9X11,32
针数63
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量63
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织128MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA63,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.35 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.012 A
最大压摆率0.275 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度12.33 mm
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