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CSA1220AR

产品描述Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小59KB,共3页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
标准
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CSA1220AR概述

Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

CSA1220AR规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1.2 A
集电极-发射极最大电压160 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)20 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)175 MHz

CSA1220AR相似产品对比

CSA1220AR CSA1220AO CSA1220AY CSA1220A CSA1220Y CSA1220R CSA1220O
描述 Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 1.2 A 1.2 A 1.2 A 1.2 A 1.2 A 1.2 A 1.2 A
集电极-发射极最大电压 160 V 160 V 160 V 160 V 120 V 120 V 120 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60 100 160 60 160 60 100
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W 20 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 175 MHz 175 MHz 175 MHz 175 MHz 175 MHz 175 MHz 175 MHz
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 - -
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