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IC63LV1024-10BI

产品描述128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT
产品类别存储    存储   
文件大小127KB,共10页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IC63LV1024-10BI概述

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT

IC63LV1024-10BI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明6 X 8 MM, TFBGA-36
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B36
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量36
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA36,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.015 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1
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