电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IDT709269L12G

产品描述16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 30 ns, PQFP100
产品类别存储   
文件大小313KB,共18页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
下载文档 详细参数 全文预览

IDT709269L12G概述

16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 30 ns, PQFP100

16K × 16 双端口静态随机存储器, 30 ns, PQFP100

IDT709269L12G规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量100
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压4.5 V
额定供电电压5 V
最大存取时间30 ns
加工封装描述14 × 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状SQUARE
包装尺寸FLATPACK, 低 PROFILE, FINE PITCH
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.5000 mm
端子涂层锡 铅
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级COMMERCIAL
内存宽度16
组织16K × 16
存储密度262144 deg
操作模式同步
位数16384 words
位数16K
内存IC类型双端口静态随机存储器
串行并行并行

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 216  723  943  974  1040 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved