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IXDD614SI: 产品描述Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET; 产品类别模拟混合信号IC 驱动程序和接口; 文件大小273KB，共14页; 制造商IXYS; 标准; 相似器件已查找到1个与IXDD614SI功能相似器件

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IXDD614SI概述

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET

IXDD614SI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IXYS
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOIC-8
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Samacsys Description	Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
高边驱动器	NO
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
长度	4.9 mm
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
输出特性	3-STATE
输出极性	INVERTED
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HSOP
封装等效代码	SOP8,.24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
最大压摆率	3 mA
最大供电电压	35 V
最小供电电压	4.5 V
标称供电电压	18 V
表面贴装	YES
温度等级	AUTOMOTIVE
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
断开时间	0.075 µs
接通时间	0.075 µs
宽度	3.9 mm

IXDD614SI相似产品对比

	IXDD614SI	IXDD614SITR	IXDD614CI	IXDI614PI
描述	Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET	Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET	Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET	Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
零件包装代码	SOIC	SOIC	TO-220AB	DIP
包装说明	SOIC-8	SOIC-8	TO-220AB, 5 PIN	DIP, DIP8,.3
针数	8	8	3	8
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
高边驱动器	NO	NO	NO	NO
接口集成电路类型	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-XSFM-T5	R-PDIP-T8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	8	8	5	8
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
输出极性	INVERTED	INVERTED	INVERTED	TRUE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HSOP	HSOP	TO-220	DIP
封装等效代码	SOP8,.24	SOP8,.24	SIP5,.1,67TB	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG	FLANGE MOUNT	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	245	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大压摆率	3 mA	3 mA	3 mA	3 mA
最大供电电压	35 V	35 V	35 V	35 V
最小供电电压	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压	18 V	18 V	18 V	18 V
表面贴装	YES	YES	NO	NO
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	SINGLE	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	NOT SPECIFIED
断开时间	0.075 µs	0.075 µs	0.075 µs	0.075 µs
接通时间	0.075 µs	0.075 µs	0.075 µs	0.075 µs
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	-
是否Rohs认证	符合	符合	符合	-
厂商名称	IXYS	IXYS	IXYS	-
长度	4.9 mm	4.9 mm	-	9.59 mm
湿度敏感等级	1	1	1	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-
座面最大高度	1.75 mm	1.75 mm	-	4.7 mm
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	-	2.54 mm
宽度	3.9 mm	3.9 mm	-	7.62 mm

与IXDD614SI功能相似器件

器件名	厂商	描述
IXDD614SITR	IXYS	Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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