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FQP65N06

产品描述MOSFET TO-220 N-CH 60V 65A
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FQP65N06概述

MOSFET TO-220 N-CH 60V 65A

FQP65N06规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明TO-220, 3 PIN
制造商包装代码340AT
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
雪崩能效等级(Eas)650 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)65 A
最大漏极电流 (ID)65 A
最大漏源导通电阻0.016 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)260 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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