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DDTB122LU-7-F

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 0.22K 10K
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小71KB,共3页
制造商Diodes Incorporated
标准
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DDTB122LU-7-F概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 0.22K 10K

DDTB122LU-7-F规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time19 weeks
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 45.45
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)56
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

DDTB122LU-7-F相似产品对比

DDTB122LU-7-F
描述 Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 0.22K 10K
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Diodes Incorporated
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 19 weeks
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 45.45
最大集电极电流 (IC) 0.5 A
集电极-发射极最大电压 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 56
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz
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