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70121L35J

产品描述SRAM 2KX9 DUAL PORT MASTR W/IN
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文件大小146KB,共17页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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70121L35J概述

SRAM 2KX9 DUAL PORT MASTR W/IN

70121L35J规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码PLCC
包装说明0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52
针数52
制造商包装代码PL52
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J52
JESD-609代码e0
长度19.1262 mm
内存密度18432 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量52
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC52,.8SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度19.1262 mm
Base Number Matches1

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描述 SRAM 2KX9 DUAL PORT MASTR W/IN SRAM 2KX9 DUAL PORT SLAVE W/IN SRAM 2KX9 DUAL PORT SLAVE W/IN SRAM 2KX9 DUAL PORT MASTR W/IN SRAM 2KX9 DUAL PORT SLAVE W/IN SRAM 2KX9 DUAL PORT SLAVE W/IN SRAM 2KX9 DUAL PORT SLAVE W/IN SRAM 2KX9 DUAL PORT MASTR W/IN SRAM 2KX9 DUAL PORT SLAVE W/IN
Brand Name Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 PLCC PLCC PLCC PLCC PLCC PLCC PLCC PLCC PLCC
包装说明 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52
针数 52 52 52 52 52 52 52 52 52
制造商包装代码 PL52 PL52 PL52 PL52 PL52 PL52 PL52 PL52 PL52
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 35 ns 55 ns 55 ns 55 ns 25 ns 55 ns 35 ns 25 ns 25 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm
内存密度 18432 bit 18432 bit 18432 bit 18432 bit 18432 bit 18432 bit 18432 bit 18432 bit 18432 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 9 9 9 9 9 9 9 9 9
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2 2 2 2 2 2
端子数量 52 52 52 52 52 52 52 52 52
字数 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2KX9 2KX9 2KX9 2KX9 2KX9 2KX9 2KX9 2KX9 2KX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ
封装等效代码 LDCC52,.8SQ LDCC52,.8SQ LDCC52,.8SQ LDCC52,.8SQ LDCC52,.8SQ LDCC52,.8SQ LDCC52,.8SQ LDCC52,.8SQ LDCC52,.8SQ
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225 225 225 225 225 225
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm 4.57 mm
最大待机电流 0.005 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A 0.015 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.21 mA 0.24 mA 0.24 mA 0.24 mA 0.22 mA 0.2 mA 0.25 mA 0.26 mA 0.26 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Base Number Matches 1 1 1 1 - 1 1 - 1
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