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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1105MFV
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RN1105MFV

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 2.2K x 47Kohms
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小856KB，共9页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1105MFV在线购买

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RN1105MFV概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 2.2K x 47Kohms

RN1105MFV规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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RN1101MFV to RN1106MFV
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN1101MFV, RN1102MFV, RN1103MFV
RN1104MFV, RN1105MFV, RN1106MFV
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
0.22 ± 0.05
Unit: mm
1.2 ± 0.05
Ultra-small package, suited to very high density mounting
Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts,
so enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering
assembly cost.
1.2 ± 0.05
A wide range of resistor values is available for use in various circuits.
Complementary to the RN2101MFV to RN2106MFV
0.8 ± 0.05
1
0.4
1
3
2
0.13 ± 0.05
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN1101MFV
RN1102MFV
RN1103MFV
RN1104MFV
RN1105MFV
RN1106MFV
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
0.5 ± 0.05
0.4
VESM
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
―
―
2-1L1A
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1101MFV to 1106MFV
RN1101MFV to 1106MFV
RN1101MFV to 1104MFV
RN1105MFV, 1106MFV
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
Rating
50
50
10
5
100
150
150
−55
to 150
Weight: 1.5 mg (typ.)
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant
change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Note 1: Mounted on an FR4 board
(25.4
mm
×
25.4 mm
×
1.6 mm)
Pad Dimension（Reference）
0.5
Unit: mm
0.45
1.15
0.4
0.45
0.4
0.4
Start of commercial production
2005-02
1
2016-09-14
0.32 ± 0.05
0.80 ± 0.05

RN1105MFV相似产品对比

RN1105MFV RN1103MFVTPL3 RN1106MFV,L3F
描述 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 2.2K x 47Kohms Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 22K x 22Kohms 双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝)
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR - Single

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