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70T3539MS133BCI

产品描述SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM
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制造商IDT (Integrated Device Technology)
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70T3539MS133BCI概述

SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM

70T3539MS133BCI规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码CABGA
包装说明LBGA, BGA256,16X16,40
针数256
制造商包装代码BC256
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Samacsys DescriptionCHIP ARRAY BGA 17.0 X 1.7.0 MM X 1.0 MM
最长访问时间15 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e0
长度17 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量256
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5,2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.7 mm
最大待机电流0.025 A
最小待机电流2.4 V
最大压摆率0.9 mA
最大供电电压 (Vsup)2.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.4 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度17 mm
Base Number Matches1

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Features:
LEAD FINISH (SnPb) ARE IN EOL PROCESS - LAST TIME BUY EXPIRES JUNE 15, 2018
HIGH-SPEED 2.5V
IDT70T3539M
512K x 36
SYNCHRONOUS
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output Mode
2.5V (±100mV) power supply for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Includes JTAG functionality
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 133MHz
Available in a 256-pin Ball Grid Array (BGA)
Green parts available, see ordering information
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed data access
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz)(max.)
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Interrupt and Collision Detection Flags
Full synchronous operation on both ports
– 6ns cycle time, 166MHz operation (12Gbps bandwidth)
– Fast 3.6ns clock to data out
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 166MHz
BE
3L
BE
2L
BE
1L
BE
0L
Functional Block Diagram
BE
3R
BE
2R
BE
1R
BE
0R
FT/PIPE
L
1/0
0a 1a
a
0b 1b
b
0c 1c
c
0d 1d
d
1d 0d
d
1c 0c
c
1b 0b
b
1a 0a
a
1/0
FT/PIPE
R
R/W
L
R/W
R
CE
0L
CE
1L
1
0
1/0
B B
WW
0 1
L L
B B B
WWW
2 3 3
L L R
B
W
2
R
B B
WW
1 0
R R
1
0
1/0
CE
0R
CE
1R
OE
L
OE
R
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
1d 0d 1c 0c 1b 0b 1a 0a
0a 1a 0b 1b 0c 1c 0d 1d
0/1
,
FT/PIPE
R
FT/PIPE
L
0/1
a bc d
dcba
512K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O
0L
- I/O
35L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
35R
CLK
L
A
18L
A
0L
REPEAT
L
ADS
L
CNTEN
L
A
18R
CLK
R
,
Counter/
Address
Reg.
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A
0R
REPEAT
R
ADS
R
CNTEN
R
TDI
TCK
TMS
TRST
CE
0 L
CE1 L
R/
W
L
INTERRUPT
COLLISION
DETECTION
LOGIC
CE
0 R
CE1R
R/
W
R
JTAG
TDO
COL
R
INT
R
COL
L
INT
L
ZZ
L
(1)
ZZ
CONTROL
LOGIC
ZZ
R
(1)
5678 drw 01
NOTE:
1. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. All static inputs, i.e., PL/FTx and OPTx and
the sleep mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.
FEBRUARY
2018
DSC 5678/9
1
©2018 Integrated Device Technology, Inc.

70T3539MS133BCI相似产品对比

70T3539MS133BCI 70T3539MS133BC8 70T3539MS133BCI8 70T3539MS166BC
描述 SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM SRAM 512K X 36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM
Brand Name Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 CABGA CABGA CABGA CABGA
包装说明 LBGA, BGA256,16X16,40 LBGA, BGA256,16X16,40 LBGA, BGA256,16X16,40 LBGA, BGA256,16X16,40
针数 256 256 256 256
制造商包装代码 BC256 BC256 BC256 BC256
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
Samacsys Description CHIP ARRAY BGA 17.0 X 1.7.0 MM X 1.0 MM CHIP ARRAY BGA 17.0 X 1.7.0 MM X 1.0 MM CHIP ARRAY BGA 17.0 X 1.7.0 MM X 1.0 MM CHIP ARRAY BGA 17.0 X 1.7.0 MM X 1.0 MM
最长访问时间 15 ns 15 ns 15 ns 12 ns
其他特性 FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz 133 MHz 166 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PBGA-B256 S-PBGA-B256 S-PBGA-B256 S-PBGA-B256
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 36 36 36 36
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2
端子数量 256 256 256 256
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 512KX36 512KX36 512KX36 512KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA LBGA LBGA
封装等效代码 BGA256,16X16,40 BGA256,16X16,40 BGA256,16X16,40 BGA256,16X16,40
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225
电源 2.5,2.5/3.3 V 2.5,2.5/3.3 V 2.5,2.5/3.3 V 2.5,2.5/3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.7 mm 1.5 mm 1.5 mm 1.7 mm
最大待机电流 0.025 A 0.02 A 0.025 A 0.02 A
最小待机电流 2.4 V 2.4 V 2.4 V 2.4 V
最大压摆率 0.9 mA 0.74 mA 0.9 mA 0.9 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.6 V 2.6 V 2.6 V 2.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.4 V 2.4 V 2.4 V 2.4 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20
宽度 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm
Base Number Matches 1 1 1 1
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