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23K640-I/SN

产品描述SRAM 64K 8K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND
产品类别存储    存储   
文件大小246KB,共25页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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23K640-I/SN概述

SRAM 64K 8K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND

23K640-I/SN规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time11 weeks
最长访问时间25 ns
最大时钟频率 (fCLK)20 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.9 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1, (3 LINE)
端子数量8
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最大待机电流0.000004 A
最小待机电流2.7 V
最大压摆率0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

23K640-I/SN相似产品对比

23K640-I/SN 23K640-I-ST 23K640-I-P 23A640-I-ST 23K640T-I/ST 23A640-I/SN 23K640T-I/SN
描述 SRAM 64K 8K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND SRAM 64K 8K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND SRAM 64K 8K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND SRAM 64K 8K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND SRAM 64K 8K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND SRAM 64K 8K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND 静态随机存取存储器 64K 8K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND
是否无铅 不含铅 - - - 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - - - 符合 符合 符合
零件包装代码 SOIC - - - SOIC SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25 - - - TSSOP, TSSOP8,.25 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25
针数 8 - - - 8 8 8
Reach Compliance Code compliant - - - compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 - - - EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 11 weeks - - - 6 weeks 11 weeks 11 weeks
最长访问时间 25 ns - - - 25 ns 32 ns 25 ns
最大时钟频率 (fCLK) 20 MHz - - - 20 MHz 10 MHz 20 MHz
I/O 类型 SEPARATE - - - SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 - - - R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 - - - e3 e3 e3
长度 4.9 mm - - - 4.4 mm 4.9 mm 4.9 mm
内存密度 65536 bit - - - 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - - - STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 - - - 8 8 8
湿度敏感等级 3 - - - 1 3 3
功能数量 1 - - - 1 1 1
端口数量 1, (3 LINE) - - - 1, (3 LINE) 1, (3 LINE) 1, (3 LINE)
端子数量 8 - - - 8 8 8
字数 8192 words - - - 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 - - - 8000 8000 8000
工作模式 SYNCHRONOUS - - - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - - - 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - - - -40 °C -40 °C -40 °C
组织 8KX8 - - - 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE - - - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP - - - TSSOP SOP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 - - - TSSOP8,.25 SOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR - - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - - - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL - - - SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - - - 260 260 260
电源 3/3.3 V - - - 3/3.3 V 1.8 V 3/3.3 V
认证状态 Not Qualified - - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm - - - 1.2 mm 1.75 mm 1.75 mm
最大待机电流 0.000004 A - - - 0.000004 A 0.000001 A 0.000004 A
最小待机电流 2.7 V - - - 2.7 V 1.5 V 2.7 V
最大压摆率 0.01 mA - - - 0.01 mA 0.01 mA 0.01 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - - - 3.6 V 1.95 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V - - - 2.7 V 1.5 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V - - - 3 V 1.8 V 3 V
表面贴装 YES - - - YES YES YES
技术 CMOS - - - CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - - - INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed - - - Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING - - - GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm - - - 0.65 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL - - - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - - - 40 40 40
宽度 3.9 mm - - - 3 mm 3.9 mm 3.9 mm
Base Number Matches 1 - - - 1 1 1

 
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