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SI6943BDQ-T1-E3

产品描述MOSFET DUAL P-CH 2.5V (G-S)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI6943BDQ-T1-E3在线购买

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SI6943BDQ-T1-E3概述

MOSFET DUAL P-CH 2.5V (G-S)

SI6943BDQ-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.3 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.1 W
表面贴装YES

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Si6943BDQ
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 12
R
DS(on)
(Ω)
0.08 at V
GS
= - 4.5 V
0.105 at V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
- 2.5
- 1.9
FEATURES
Halogen-free Option Available
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
Pb-free
Available
RoHS*
COMPLIANT
S
1
S
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
Top View
D
1
Ordering Information:
Si6943BDQ-T1
Si6943BDQ-T1-GE3
(Lead (Pb)-free and Halogen-free)
P-Channel MOSFET
D
2
P-Channel MOSFET
8 D
2
7 S
2
6 S
2
5 G
2
G
1
G
2
Si6943BDQ
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 1.0
1.10
0.70
- 55 to 150
- 2.5
- 2.2
- 20
- 0.7
0.80
0.50
W
°C
10 s
±8
- 2.3
- 1.8
A
Steady State
- 12
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
89
120
70
Maximum
110
150
90
°C/W
Unit
Document Number: 72016
S-81056-Rev. B, 12-May-08
www.vishay.com
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