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IS61WV102416ALL-20MI-TR: 产品描述SRAM 16M (1Mx16) 20ns Async SRAM; 产品类别存储; 文件大小242KB，共20页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS61WV102416ALL-20MI-TR概述

SRAM 16M (1Mx16) 20ns Async SRAM

IS61WV102416ALL-20MI-TR规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	SRAM
RoHS	N
Memory Size	16 Mbit
Organization	1 M x 16
Access Time	20 ns
接口类型 Interface Type	Parallel
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	2.2 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	1.65 V
Supply Current - Max	60 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	BGA-48
系列 Packaging	Reel
Memory Type	SDR
类型 Type	Asynchronous
Moisture Sensitive	Yes
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2000

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IS61WV102416ALL

IS61WV102416BLL

IS64WV102416BLL

1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS

CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

FEATURES

• High-speed access times:

8, 10, 20 ns

• High-performance, low-power CMOS process

• Multiple center power and ground pins for greater

noise immunity

• Easy memory expansion with CE and OE op-

tions

•

CE power-down

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• TTL compatible inputs and outputs

• Single power supply

1.65V to 2.2V (IS61WV102416ALL)

speed = 20ns for V

1.65V to 2.2V

2.4V to 3.6V (IS61/64WV102416BLL)

speed = 10ns for V

2.4V to 3.6V

speed = 8ns for V

3.3V + 5%

• Packages available:

– 48-ball miniBGA (9mm x 11mm)

– 48-pin TSOP (Type I)

• Industrial and Automotive Temperature Support

• Lead-free available

• Data control for upper and lower bytes

MAY 2012

are high-speed, 16M-bit static RAMs organized as 1024K

words by 16 bits. It is fabricated using

ISSI

's high-perfor-

mance CMOS technology. This highly reliable process

coupled with innovative circuit design techniques, yields

high-performance and low power consumption devices.

When

is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be re-

duced down with CMOS input levels.

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW

Write Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower

Byte (LB) access.

The device is packaged in the JEDEC standard 48-pin

TSOP Type I and 48-pin Mini BGA (9mm x 11mm).

DESCRIPTION

The

ISSI

IS61WV102416ALL/BLL and IS64WV102416BLL

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A0-A19

DECODER

1024K x 16

MEMORY ARRAY

VDD

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O8-I/O15

Upper Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

CONTROL

CIRCUIT

notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the lat-

est version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —

1-800-379-4774

Rev. F

05/09/12

IS61WV102416ALL-20MI-TR相似产品对比

	IS61WV102416ALL-20MI-TR	IS61WV102416ALL-20MI	IS61WV102416BLL-10MI	IS64WV102416BLL-10MA3-TR
描述	SRAM 16M (1Mx16) 20ns Async SRAM	SRAM 16M (1Mx16) 20ns Async SRAM	SRAM 16M 3.3V 10ns 1M x 16 Async SRAM	SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	-
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	-
产品种类 Product Category	SRAM	SRAM	SRAM	-
RoHS	N	N	N	-
Memory Size	16 Mbit	16 Mbit	16 Mbit	-
Organization	1 M x 16	1 M x 16	1 M x 16	-
Access Time	20 ns	20 ns	10 ns	-
接口类型 Interface Type	Parallel	Parallel	Parallel	-
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	2.2 V	2.2 V	3.6 V	-
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	1.65 V	1.65 V	2.4 V	-
Supply Current - Max	60 mA	60 mA	95 mA	-
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	- 40 C	- 40 C	-
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C	-
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	-
封装 / 箱体 Package / Case	BGA-48	BGA-48	BGA-48	-
系列 Packaging	Reel	Tray	Tray	-
Memory Type	SDR	SDR	SDR	-
类型 Type	Asynchronous	Asynchronous	Asynchronous	-
Moisture Sensitive	Yes	Yes	Yes	-
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2000	220	220	-

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