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IS61C512-35T

产品描述64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
产品类别存储    存储   
文件大小422KB,共8页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS61C512-35T概述

64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

IS61C512-35T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ISSI(芯成半导体)
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1-32
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.00075 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm
Base Number Matches1
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