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TN6725A_D27Z

产品描述Darlington Transistors NPN Darlington Trans Dbl-Diff Si
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小32KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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TN6725A_D27Z在线购买

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TN6725A_D27Z概述

Darlington Transistors NPN Darlington Trans Dbl-Diff Si

TN6725A_D27Z规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ON Semiconductor(安森美)
产品种类
Product Category
Darlington Transistors
RoHSDetails
ConfigurationSingle
Transistor PolarityNPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Emitter- Base Voltage VEBO12 V
Collector- Base Voltage VCBO60 V
Maximum DC Collector Current1.2 A
Maximum Collector Cut-off Current0.1 uA
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-226
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
高度
Height
7.87 mm
长度
Length
4.7 mm
宽度
Width
3.93 mm
DC Collector/Base Gain hfe Min4000
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2000
单位重量
Unit Weight
0.012311 oz

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TN6725A
Discrete Power & Signal
Technologies
TN6725A
CB
E
TO-226
NPN Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1A. Sourced
from Process 05. See MPSA14 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
stg
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
T
A = 25°C unless otherwise noted
Value
50
60
12
1.2
-55 to +150
Units
V
V
V
A
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
T
A = 25°C unless otherwise noted
Max
Characteristic
TN6725A
P
D
R
θJC
R
θJA
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
1
8
50
125
W
mW/°C
°C/W
°C/W
Units
©
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
TN6725A, Rev A

TN6725A_D27Z相似产品对比

TN6725A_D27Z TN6725A_D26Z TN6725A_D75Z
描述 Darlington Transistors NPN Darlington Trans Dbl-Diff Si Darlington Transistors NPN Darlington Trans Dbl-Diff Si Darlington Transistors NPN Darlington Trans Dbl-Diff Si
Product Attribute Attribute Value Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
产品种类
Product Category
Darlington Transistors Darlington Transistors Darlington Transistors
RoHS Details Details Details
Configuration Single Single Single
Transistor Polarity NPN NPN NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V 50 V 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 12 V 12 V 12 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V 60 V 60 V
Maximum DC Collector Current 1.2 A 1.2 A 1.2 A
Maximum Collector Cut-off Current 0.1 uA 0.1 uA 0.1 uA
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-226 TO-226 TO-226
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - 55 C - 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C + 150 C
高度
Height
7.87 mm 7.87 mm 7.87 mm
长度
Length
4.7 mm 4.7 mm 4.7 mm
宽度
Width
3.93 mm 3.93 mm 3.93 mm
DC Collector/Base Gain hfe Min 4000 4000 4000
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2000 2000 2000
单位重量
Unit Weight
0.012311 oz 0.012311 oz 0.012311 oz
系列
Packaging
Reel Reel Ammo Pack
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