Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS62WV51216ALL-70BI

IS62WV51216ALL-70BI: 产品描述SRAM 8Mb 512Kx16 70ns Async SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小155KB，共16页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS62WV51216ALL-70BI概述

SRAM 8Mb 512Kx16 70ns Async SRAM

IS62WV51216ALL-70BI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Factory Lead Time	8 weeks
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	8.7 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8/2 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.00002 A
最小待机电流	1.2 V
最大压摆率	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.2 mm
Base Number Matches	1

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IS62WV51216ALL

IS62WV51216BLL

512K x 16 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

DECEMBER 2007

FEATURES

• High-speed access time: 45ns, 55ns

• CMOS low power operation

– 36 mW (typical) operating

– 12 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

– 1.65V--2.2V V

(62WV51216ALL)

– 2.5V--3.6V V

(62WV51216BLL)

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Lead-free available

DESCRIPTION

The

ISSI

IS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL are high-

speed, 8M bit static RAMs organized as 512K words by 16

bits. It is fabricated using

ISSI

's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with innovative

circuit design techniques, yields high-performance and low

power consumption devices.

When

CS1

is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected) or when

CS1

is LOW, CS2 is HIGH and both

and

are HIGH, the device assumes a standby mode at

which the power dissipation can be reduced down with CMOS

input levels.

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE)

controls both writing and reading of the memory. A data

byte allows Upper Byte

(UB)

and Lower Byte (LB) access.

The IS62WV51216ALL and IS62WV51216BLL are packaged

in the JEDEC standard 48-pin mini BGA (7.2mm x 8.7mm)

and 44-Pin TSOP (TYPE II).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A0-A18

DECODER

512K x 16

MEMORY ARRAY

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O8-I/O15

Upper Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any

published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —

1-800-379-4774

Rev. D

12/13/2007

IS62WV51216ALL-70BI相似产品对比

	IS62WV51216ALL-70BI	IS62WV51216BLL-55BI-TR	IS62WV51216ALL-70BI-TR	IS62WV51216BLL-55BI
描述	SRAM 8Mb 512Kx16 70ns Async SRAM	SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM	SRAM 8Mb 512Kx16 70ns Async SRAM	SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM
Product Attribute	-	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	-	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	-	SRAM	SRAM	SRAM
RoHS	-	N	N	N
Memory Size	-	8 Mbit	8 Mbit	8 Mbit
Organization	-	512 k x 16	512 k x 16	512 k x 16
Access Time	-	55 ns	70 ns	55 ns
接口类型 Interface Type	-	Parallel	Parallel	Parallel
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	-	3.6 V	2.2 V	3.6 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	-	2.5 V	1.65 V	2.5 V
Supply Current - Max	-	5 mA	4 mA	5 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	-	- 40 C	- 40 C	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	-	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C
安装风格 Mounting Style	-	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	-	TFBGA-48	TFBGA-48	TFBGA-48
系列 Packaging	-	Reel	Reel	Tray
数据速率 Data Rate	-	SDR	SDR	SDR
类型 Type	-	Asynchronous	Asynchronous	Asynchronous
Number of Ports	-	1	1	1
Moisture Sensitive	-	Yes	Yes	Yes
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	-	2500	2500	312

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