Logic Gates 3-18V CMOS Hex
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 其他特性 | MIXED WITH 2-IN NOR & 2-IN NAND |
| 系列 | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.175 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER |
| 功能数量 | 6 |
| 输入次数 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 5/15 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 180 ns |
| 传播延迟（tpd） | 180 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 4.44 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| MC14572UBCP | MC14572UBD | MC14572UBDR2 | MC14572UBCPG | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Logic Gates 3-18V CMOS Hex | Logic Gates 3-18V CMOS Hex | Logic Gates 3-18V CMOS Hex | Logic Gates 3-18V CMOS Hex Gate |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC | SOIC | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | SOP, SOP16,.25 | SOP, SOP16,.25 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | unknown |
| 其他特性 | MIXED WITH 2-IN NOR & 2-IN NAND | MIXED WITH 2-IN NOR & 2-IN NAND | MIXED WITH 2-IN NOR & 2-IN NAND | MIXED WITH 2-IN NOR & 2-IN NAND |
| 系列 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | R-PDSO-G16 | R-PDSO-G16 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e3 |
| 长度 | 19.175 mm | 9.9 mm | 9.9 mm | 19.175 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER | INVERTER | INVERTER | INVERTER |
| 功能数量 | 6 | 6 | 6 | 6 |
| 输入次数 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP | SOP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | SOP16,.25 | SOP16,.25 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 | 240 | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5/15 V | 5/15 V | 5/15 V | 5/15 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 180 ns | 180 ns | 180 ns | 180 ns |
| 传播延迟（tpd） | 180 ns | 180 ns | 180 ns | 180 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO | NO |
| 座面最大高度 | 4.44 mm | 1.75 mm | 1.75 mm | 4.44 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 3.9 mm | 3.9 mm | 7.62 mm |
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