Logic Gates 3-18V CMOS Hex Gate
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
针数 | 16 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | MIXED WITH 2-IN NOR & 2-IN NAND |
系列 | 4000/14000/40000 |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 19.175 mm |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | INVERTER |
功能数量 | 6 |
输入次数 | 1 |
端子数量 | 16 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5/15 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 180 ns |
传播延迟(tpd) | 180 ns |
认证状态 | Not Qualified |
施密特触发器 | NO |
座面最大高度 | 4.44 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 18 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
MC14572UBCPG | MC14572UBD | MC14572UBDR2 | MC14572UBCP | |
---|---|---|---|---|
描述 | Logic Gates 3-18V CMOS Hex Gate | Logic Gates 3-18V CMOS Hex | Logic Gates 3-18V CMOS Hex | Logic Gates 3-18V CMOS Hex |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | DIP | SOIC | SOIC | DIP |
包装说明 | DIP, DIP16,.3 | SOP, SOP16,.25 | SOP, SOP16,.25 | DIP, DIP16,.3 |
针数 | 16 | 16 | 16 | 16 |
Reach Compliance Code | unknown | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
其他特性 | MIXED WITH 2-IN NOR & 2-IN NAND | MIXED WITH 2-IN NOR & 2-IN NAND | MIXED WITH 2-IN NOR & 2-IN NAND | MIXED WITH 2-IN NOR & 2-IN NAND |
系列 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | R-PDSO-G16 | R-PDSO-G16 | R-PDIP-T16 |
JESD-609代码 | e3 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 19.175 mm | 9.9 mm | 9.9 mm | 19.175 mm |
负载电容(CL) | 50 pF | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | INVERTER | INVERTER | INVERTER | INVERTER |
功能数量 | 6 | 6 | 6 | 6 |
输入次数 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 16 | 16 | 16 | 16 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | SOP | SOP | DIP |
封装等效代码 | DIP16,.3 | SOP16,.25 | SOP16,.25 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | 240 | 240 | 240 |
电源 | 5/15 V | 5/15 V | 5/15 V | 5/15 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 180 ns | 180 ns | 180 ns | 180 ns |
传播延迟(tpd) | 180 ns | 180 ns | 180 ns | 180 ns |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
施密特触发器 | NO | NO | NO | NO |
座面最大高度 | 4.44 mm | 1.75 mm | 1.75 mm | 4.44 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 18 V | 18 V | 18 V | 18 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | YES | YES | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 | 30 | 30 |
宽度 | 7.62 mm | 3.9 mm | 3.9 mm | 7.62 mm |
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