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CMR1H-04MFL TR13

产品描述Rectifiers Hyperfast Recovery 1.0 Amp 400V 20ns
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小910KB,共4页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMR1H-04MFL TR13概述

Rectifiers Hyperfast Recovery 1.0 Amp 400V 20ns

CMR1H-04MFL TR13规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
产品种类
Product Category
Rectifiers
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SMAFL
Vr - Reverse Voltage400 V
If - Forward Current1 A
类型
Type
Fast Recovery Rectifiers
Vf - Forward Voltage1.1 V
Max Surge Current30 A
Ir - Reverse Current1 A
Recovery Time20 ns
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
高度
Height
1.1 mm
长度
Length
3.9 mm
产品
Product
Rectifiers
端接类型
Termination Style
SMD/SMT
宽度
Width
2.6 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10000
单位重量
Unit Weight
0.002258 oz

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CMR1H-04MFL
SURFACE MOUNT SILICON
HYPERFAST
RECOVERY RECTIFIER
1.0 AMP, 400 VOLT
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMR1H-04MFL
is a 1.0 Amp, HyperFast recovery rectifier constructed
with a glass passivated die and packaged in the low
profile and thermally efficient SMAFL case. The device
is ideal for applications requiring extremely fast recovery
times, low switching losses and high voltage capability.
The SMAFL fits on existing industry standard SMA
mounting pad layouts.
MARKING CODE: CSF04M
FEATURES:
• HyperFast recovery time (20ns TYP)
• Low switching losses
• Thermally efficient package
• Fits on standard SMA pad layouts
SMAFL CASE
APPLICATIONS:
• Flyback diode
• Freewheeling diode
• DC-DC output rectification
• Voltage clamping
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRRM
DC Blocking Voltage
VR
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TL=120°C)
Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
IR
VF
CJ
trr
VR(RMS)
IO
IFSM
TJ, Tstg
Θ
JL
400
400
280
1.0
30
-65 to +150
30
UNITS
V
V
V
A
A
°C
°C/W
CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
TYP
VR=400V
0.03
VR=400V, TA=100°C
IF=1.0A
VR=4.0V, f=1.0MHz
IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
1.1
13
20
MAX
1.0
150
1.25
25
UNITS
μA
μA
V
pF
ns
R1 (19-August 2013)

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