IGBT Transistors EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| parentfamilyid | 4192722 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| Objectid | 1695218346 |
| 零件包装代码 | TO-251 |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| compound_id | 1580792 |
| 其他特性 | VOLTAGE CLAMPING |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 25 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 420 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 2.3 V |
| 门极-发射极最大电压 | 16 V |
| JEDEC-95代码 | TO-251 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | AUTOMOTIVE IGNITION |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 22200 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 4450 ns |
| STGD18N40LZ-1 | STGP18N40LZ | |
|---|---|---|
| 描述 | IGBT Transistors EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT | IGBT Transistors 400V INTRN CLMP IGBT |
| Brand Name | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TO-251 | TO-220AB |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | VOLTAGE CLAMPING | VOLTAGE CLAMPING |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 25 A | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 420 V | 420 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 2.3 V | 2.3 V |
| 门极-发射极最大电压 | 16 V | 16 V |
| JEDEC-95代码 | TO-251 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W | 150 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AUTOMOTIVE IGNITION | AUTOMOTIVE IGNITION |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 22200 ns | 22200 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 4450 ns | 4450 ns |
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