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STGP18N40LZ

产品描述IGBT Transistors 400V INTRN CLMP IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小860KB,共25页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STGP18N40LZ概述

IGBT Transistors 400V INTRN CLMP IGBT

STGP18N40LZ规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TO-220AB
包装说明ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性VOLTAGE CLAMPING
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压420 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
门极发射器阈值电压最大值2.3 V
门极-发射极最大电压16 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)22200 ns
标称接通时间 (ton)4450 ns

STGP18N40LZ相似产品对比

STGP18N40LZ STGD18N40LZ-1
描述 IGBT Transistors 400V INTRN CLMP IGBT IGBT Transistors EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
Brand Name STMicroelectronics STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 TO-220AB TO-251
包装说明 ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN ROHS COMPLIANT, IPAK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 VOLTAGE CLAMPING VOLTAGE CLAMPING
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 30 A 25 A
集电极-发射极最大电压 420 V 420 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
门极发射器阈值电压最大值 2.3 V 2.3 V
门极-发射极最大电压 16 V 16 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-251
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W 125 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30
晶体管应用 AUTOMOTIVE IGNITION AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 22200 ns 22200 ns
标称接通时间 (ton) 4450 ns 4450 ns

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