IGBT Transistors 400V INTRN CLMP IGBT
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | STMicroelectronics |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | VOLTAGE CLAMPING |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 30 A |
集电极-发射极最大电压 | 420 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
门极发射器阈值电压最大值 | 2.3 V |
门极-发射极最大电压 | 16 V |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AUTOMOTIVE IGNITION |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 22200 ns |
标称接通时间 (ton) | 4450 ns |
STGP18N40LZ | STGD18N40LZ-1 | |
---|---|---|
描述 | IGBT Transistors 400V INTRN CLMP IGBT | IGBT Transistors EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT |
Brand Name | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | TO-220AB | TO-251 |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | VOLTAGE CLAMPING | VOLTAGE CLAMPING |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 30 A | 25 A |
集电极-发射极最大电压 | 420 V | 420 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
门极发射器阈值电压最大值 | 2.3 V | 2.3 V |
门极-发射极最大电压 | 16 V | 16 V |
JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-251 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W | 125 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 |
晶体管应用 | AUTOMOTIVE IGNITION | AUTOMOTIVE IGNITION |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 22200 ns | 22200 ns |
标称接通时间 (ton) | 4450 ns | 4450 ns |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved