电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

ZXTP03200BZTA

产品描述Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic 160mV Vce 2.4W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小294KB,共7页
制造商Diodes Incorporated
标准
下载文档 详细参数 全文预览

ZXTP03200BZTA在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
ZXTP03200BZTA - - 点击查看 点击购买

ZXTP03200BZTA概述

Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic 160mV Vce 2.4W

ZXTP03200BZTA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT-89
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)38.7 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)105 MHz
Base Number Matches1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 177  303  678  783  885 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved