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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SI7866DP-T1
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SI7866DP-T1

产品描述MOSFET 20V 29A 5.4W 2.5mohm @ 10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小48KB，共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI7866DP-T1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SI7866DP-T1概述

MOSFET 20V 29A 5.4W 2.5mohm @ 10V

SI7866DP-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)18 A
最大漏极电流 (ID)18 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)5.4 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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