MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
零件包装代码 | D2PAK |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
其他特性 | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas) | 400 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 47 A |
最大漏极电流 (ID) | 47 A |
最大漏源导通电阻 | 0.04 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 175 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 188 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
IPB47N10SL-26 | IPP47N10SL-26 | IPI47N10SL-26 | IPB47N10SL26 | |
---|---|---|---|---|
描述 | MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS | MOSFET N-Ch 100V 47A TO220-3 SIPMOS | MOSFET N-Ch 100V 47A I2PAK-3 SIPMOS | MOSFET |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | - |
零件包装代码 | D2PAK | TO-220AB | TO-262AA | - |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN | - |
针数 | 4 | 3 | 3 | - |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | - |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
其他特性 | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - |
雪崩能效等级(Eas) | 400 mJ | 400 mJ | 400 mJ | - |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V | 100 V | - |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 47 A | 47 A | 47 A | - |
最大漏极电流 (ID) | 47 A | 47 A | 47 A | - |
最大漏源导通电阻 | 0.04 Ω | 0.04 Ω | 0.04 Ω | - |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
JEDEC-95代码 | TO-263AB | TO-220AB | TO-262AA | - |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 | R-PSIP-T3 | - |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | - |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | - |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | - |
端子数量 | 2 | 3 | 3 | - |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT | IN-LINE | - |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
最大功率耗散 (Abs) | 175 W | 175 W | 175 W | - |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 188 A | 188 A | 188 A | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
表面贴装 | YES | NO | NO | - |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) | - |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | - |
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