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IPB47N10SL-26

产品描述MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小545KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IPB47N10SL-26在线购买

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IPB47N10SL-26概述

MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS

IPB47N10SL-26规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)400 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)47 A
最大漏极电流 (ID)47 A
最大漏源导通电阻0.04 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)175 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)188 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

IPB47N10SL-26相似产品对比

IPB47N10SL-26 IPP47N10SL-26 IPI47N10SL-26 IPB47N10SL26
描述 MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS MOSFET N-Ch 100V 47A TO220-3 SIPMOS MOSFET N-Ch 100V 47A I2PAK-3 SIPMOS MOSFET
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 -
零件包装代码 D2PAK TO-220AB TO-262AA -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN -
针数 4 3 3 -
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
其他特性 AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE -
雪崩能效等级(Eas) 400 mJ 400 mJ 400 mJ -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 47 A 47 A 47 A -
最大漏极电流 (ID) 47 A 47 A 47 A -
最大漏源导通电阻 0.04 Ω 0.04 Ω 0.04 Ω -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-220AB TO-262AA -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 R-PSIP-T3 -
JESD-609代码 e3 e3 e3 -
湿度敏感等级 1 1 1 -
元件数量 1 1 1 -
端子数量 2 3 3 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT IN-LINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 175 W 175 W 175 W -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 188 A 188 A 188 A -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES NO NO -
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) -
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON -
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