MOSFET N-Ch 100V 47A TO220-3 SIPMOS
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 400 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 47 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 47 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.04 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 175 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 188 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| IPP47N10SL-26 | IPB47N10SL-26 | IPI47N10SL-26 | IPB47N10SL26 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-Ch 100V 47A TO220-3 SIPMOS | MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS | MOSFET N-Ch 100V 47A I2PAK-3 SIPMOS | MOSFET |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | - |
| 零件包装代码 | TO-220AB | D2PAK | TO-262AA | - |
| 包装说明 | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN | - |
| 针数 | 3 | 4 | 3 | - |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - |
| 雪崩能效等级（Eas） | 400 mJ | 400 mJ | 400 mJ | - |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V | 100 V | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 47 A | 47 A | 47 A | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 47 A | 47 A | 47 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 0.04 Ω | 0.04 Ω | 0.04 Ω | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-263AB | TO-262AA | - |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 | R-PSIP-T3 | - |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | - |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 3 | 2 | 3 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE | IN-LINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 175 W | 175 W | 175 W | - |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 188 A | 188 A | 188 A | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | NO | YES | NO | - |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-HOLE | - |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | - |
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