74HC7030D: 产品描述Registers 64 WORD X 9-BIT FIFO; 产品类别存储存储; 文件大小161KB，共23页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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74HC7030D概述

Registers 64 WORD X 9-BIT FIFO

74HC7030D规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SOIC
包装说明	SO-28
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	104 ns
其他特性	REGISTER BASED; BUBBLE BACK 3US
最大时钟频率 (fCLK)	9.2 MHz
周期时间	108.7 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e4
长度	17.9 mm
内存密度	576 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	9
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	28
字数	64 words
字数代码	64
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64X9
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP28,.4
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2/6 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.65 mm
最大压摆率	0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)	6 V
最小供电电压 (Vsup)	2 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	7.5 mm
Base Number Matches	1

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INTEGRATED CIRCUITS

DATA SHEET

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The IC06 74HC/HCT/HCU/HCMOS Logic Family Specifications

•

The IC06 74HC/HCT/HCU/HCMOS Logic Package Information

•

The IC06 74HC/HCT/HCU/HCMOS Logic Package Outlines

74HC/HCT7030

9-bit x 64-word FIFO register;

3-state

Product speciﬁcation

File under Integrated Circuits, IC06

December 1990

74HC7030D相似产品对比

	74HC7030D	74HC7030D-T	74HCT7030D	74HCT7030D-T	74HCT7030N
描述	Registers 64 WORD X 9-BIT FIFO	Registers 64 WORD X 9-BIT FIFO	Registers 64 WORD X 9-BIT FIFO	Registers 64 WORD X 9-BIT FIFO	Registers 64 WORD X 9-BIT FIFO
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	DIP
包装说明	SO-28	SO-28	SO-28	SO-28	DIP-28
针数	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	104 ns	104 ns	117 ns	117 ns	117 ns
其他特性	REGISTER BASED; BUBBLE BACK 3US	REGISTER BASED; BUBBLE BACK 3US	REGISTER BASED; BUBBLE BACK 3US	REGISTER BASED; BUBBLE BACK 3US	REGISTER BASED; BUBBLE BACK 3US
最大时钟频率 (fCLK)	9.2 MHz	9.2 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz
周期时间	108.7 ns	108.7 ns	116.28 ns	116.28 ns	116.28 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e2
长度	17.9 mm	17.9 mm	17.9 mm	17.9 mm	35.5 mm
内存密度	576 bit	576 bit	576 bit	576 bit	576 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO
内存宽度	9	9	9	9	9
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28
字数	64 words	64 words	64 words	64 words	64 words
字数代码	64	64	64	64	64
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	64X9	64X9	64X9	64X9	64X9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	SOP	SOP	DIP
封装等效代码	SOP28,.4	SOP28,.4	SOP28,.4	SOP28,.4	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	NOT SPECIFIED
电源	2/6 V	2/6 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.65 mm	2.65 mm	2.65 mm	2.65 mm	5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)	6 V	6 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2 V	2 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	NICKEL PALLADIUM GOLD	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	NOT SPECIFIED
宽度	7.5 mm	7.5 mm	7.5 mm	7.5 mm	15.24 mm
是否无铅	不含铅	-	不含铅	-	不含铅
湿度敏感等级	1	1	1	1	-
Base Number Matches	1	1	-	1	-

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