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UMG9NTR

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 50MA SOT-353
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共9页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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UMG9NTR概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 50MA SOT-353

UMG9NTR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-88A
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G5
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN COPPER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V

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EMG9 / UMG9N / FMG9A
Emitter common (dual digital transistors)
Datasheet
l
Outline
Parameter
V
CC
I
C(MAX.)
R
1
R
2
DTr1 and DTr2
50V
100mA
10kΩ
10kΩ
SOT-553
SOT-353
 
 
EMG9
(EMT5)
SOT-25
 
 
 
 
UMG9N
(UMT5)
                     
l
Features
1)Two DTC114E chips in a EMT or UMT or
 
SMT package.
2)Mounting cost and area can be cut in half.
FMG9A
(SMT5)
     
               
 
 
l
Inner circuit
EMG9 / UMG9N
FMG9A
l
Application
INVERTER, INTERFACE, DRIVER
l
Packaging specifications
     
     
Part No.
EMG9
UMG9N
FMG9A
Package
SOT-553
(EMT5)
SOT-353
(UMT5)
SOT-25
(SMT5)
Package
size
1616
2021
2928
Taping
code
T2R
TR
T148
Basic
Reel size Tape width ordering
(mm)
(mm)
unit.(pcs)
180
180
180
8
8
8
8000
3000
3000
Marking
G9
G9
G9
                                                                                         
www.rohm.com
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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