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70T631S10BFI8

产品描述SRAM 256K X 18 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM
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文件大小234KB,共28页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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70T631S10BFI8概述

SRAM 256K X 18 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM

70T631S10BFI8规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码CABGA
包装说明LFBGA, BGA208,17X17,32
针数208
制造商包装代码BF208
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B208
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量208
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA208,17X17,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5,2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最大待机电流0.02 A
最小待机电流2.4 V
最大压摆率0.445 mA
最大供电电压 (Vsup)2.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.4 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度15 mm
Base Number Matches1
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