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LP0701N3P003-G

产品描述MOSFET 16.5V 1.5Ohm
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小545KB,共6页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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LP0701N3P003-G在线购买

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LP0701N3P003-G概述

MOSFET 16.5V 1.5Ohm

LP0701N3P003-G规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Microchip(微芯科技)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityP-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage- 16.5 V
Id - Continuous Drain Current- 500 mA
Rds On - Drain-Source Resistance1.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage10 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
产品
Product
MOSFET Small Signal
Transistor Type1 P-Channel
类型
Type
MOSFET
Fall Time30 ns
Rise Time20 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2000
Typical Turn-Off Delay Time30 ns
Typical Turn-On Delay Time20 ns
单位重量
Unit Weight
0.016000 oz

LP0701N3P003-G相似产品对比

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描述 MOSFET 16.5V 1.5Ohm MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET MOSFET 16.5V 1.5Ohm MOSFET 16.5V 1.5Ohm MOSFET 16.5V 1.5Ohm MOSFET 16.5v 1.50hm MOSFET 16.5V 1.5Ohm MOSFET 16.5V 1.5Ohm MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Product Attribute Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value -
制造商
Manufacturer
Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) -
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET -
RoHS Details Details N N N Details Details N -
技术
Technology
Si Si Si Si Si Si Si Si -
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole SMD/SMT Through Hole Through Hole - Through Hole Through Hole -
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3 TO-92-3 SOIC-8 TO-92-3 TO-92-3 - TO-92-3 TO-92-3 -
Number of Channels 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel 1 Channel -
Transistor Polarity P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel -
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 16.5 V - 16.5 V - 16.5 V - 16.5 V - 16.5 V - 16.5 V - 16.5 V - 16.5 V -
Id - Continuous Drain Current - 500 mA - 500 mA - 700 mA - 500 mA - 500 mA - - 500 mA - 500 mA -
Rds On - Drain-Source Resistance 1.5 Ohms 4 Ohms 1.5 Ohms 1.5 Ohms 1.5 Ohms 1.5 Ohms 1.5 Ohms 1.5 Ohms -
Vgs - Gate-Source Voltage 10 V - 10 V 10 V 10 V - 10 V 10 V -
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - - 55 C - 55 C - 55 C - - 55 C - 55 C -
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C - + 150 C + 150 C + 150 C - + 150 C + 150 C -
Configuration Single Single Single Quad Drain Single Single Single Single Single -
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1 W - 1.5 W 1 W 1 W - 1 W 1 W -
Channel Mode Enhancement Enhancement Enhancement Enhancement Enhancement - Enhancement Enhancement -
Transistor Type 1 P-Channel 1 P-Channel 1 P-Channel 1 P-Channel 1 P-Channel 1 P-Channel 1 P-Channel 1 P-Channel -
类型
Type
MOSFET - MOSFET MOSFET MOSFET - MOSFET MOSFET -
Fall Time 30 ns - 20 ns 30 ns 30 ns - 30 ns 30 ns -
Rise Time 20 ns - 20 ns 20 ns 20 ns - 20 ns 20 ns -
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2000 2000 2500 2000 2000 2500 2000 1000 -
Typical Turn-Off Delay Time 30 ns - 30 ns 30 ns 30 ns - 30 ns 30 ns -
Typical Turn-On Delay Time 20 ns - 20 ns 20 ns 20 ns - 20 ns 20 ns -
单位重量
Unit Weight
0.016000 oz 0.016000 oz 0.002998 oz 0.007760 oz 0.007760 oz - 0.016000 oz 0.007760 oz -
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