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RN2309: 产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased -100mA -50volts 47K x 22Kohms; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小300KB，共7页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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Bipolar Transistors - Pre-Biased -100mA -50volts 47K x 22Kohms

	RN2309	RN2308
描述	Bipolar Transistors - Pre-Biased -100mA -50volts 47K x 22Kohms	Bipolar Transistors - Pre-Biased -100mA -50volts 22K x 47Kohms
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	SC-70	SC-70
包装说明	SC-70, 3 PIN	SC-70, 3 PIN
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)	70	80
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W	0.1 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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