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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> AS4C16M16S-6TCNTR
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AS4C16M16S-6TCNTR

产品描述DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM
产品类别存储    存储   
文件大小2MB，共54页
制造商Alliance Memory
标准
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AS4C16M16S-6TCNTR在线购买

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AS4C16M16S-6TCNTR概述

DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM

AS4C16M16S-6TCNTR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Alliance Memory
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e3/e6
长度22.22 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）260
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度10.16 mm

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AS4C16M16S
16M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)
Confidential
Features
Fast access time from clock: 5.4/5.4 ns
Fast clock rate: 166/143 MHz
Fully synchronous operation
Internal pipelined architecture
4M word x 16-bit x 4-bank
Programmable Mode registers
- CAS Latency: 2, or 3
- Burst Length: 1, 2, 4, 8, or full page
- Burst Type: Sequential or Interleaved
- Burst stop function
Auto Refresh and Self Refresh
8192 refresh cycles/64ms
CKE power down mode
Single +3.3V power supply
Interface: LVTTL
Operating temperature range
- Commercial (0 ~ 70°C)
- Industrial (-40 ~ 85°C)
- Automotive (-40 ~ 105°C)
54-pin 400 mil plastic TSOP II package
54-ball 8.0 x 8.0 x 1.2mm (max) FBGA package
All parts fully ROHS Compliant
Advanced (Rev. 1.4, Feb. /2012)
Overview
256Mb SDRAM is a high-speed CMOS
synchronous DRAM containing 256 Mbits. It is
internally configured as 4 Banks of 4M word x 16
DRAM with a synchronous interface (all signals are
registered on the positive edge of the clock signal,
CLK). Read and write accesses to the SDRAM are
burst oriented; accesses start at a selected location
and continue for a programmed number of locations in
a programmed sequence. Accesses begin with the
registration of a BankActivate command which is then
followed by a Read or Write command.
The SDRAM provides for programmable Read or
Write burst lengths of 1, 2, 4, 8, or full page, with a
burst termination option. An auto precharge function
may be enabled to provide a self-timed row precharge
that is initiated at the end of the burst sequence. The
refresh functions, either Auto or Self Refresh are easy
to use. By having a programmable mode register, the
system can choose the most suitable modes to
maximize its performance. These devices are well
suited for applications requiring high memory
bandwidth and particularly well suited to high
performance PC applications.
T
he
Table 1. Key Specifications
AS4C16M16S
tCK3
Clock Cycle time (min.)
tAC3
Access time from CLK (max.)
tRAS
Row Active time (min.)
tRC
Row Cycle time (min.)
Table 2. Ordering Information
-6/7
6/7 ns
5.4/5.4 ns
42/49 ns
60/63 ns
Part Number
Frequency
Package
AS4C16M16S-7TCN
143 MHz
54 pin TSOP II
AS4C16M16S-6TCN
166 MHz
54 pin TSOP II
AS4C16M16S-6TIN
166 MHz
54 pin TSOP II
AS4C16M16S-6BIN
166 MHz
54 ball TFBGA
AS4C16M16S-7BCN
143 MHz
54 ball TFBGA
AS4C16M16S-6TAN
166 MHz
54 pin TSOP II
T : indicates TSOP II package
B : indicates TFBGA package
N : indicates Pb free and Halogen free – ROHS compliant parts
C: Commercial I: Industrial A: Automotive temperatures
Confidential
1
Rev 3
Feb.
2014

AS4C16M16S-6TCNTR相似产品对比

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描述 DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TFBGA-54 DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-54 DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM DRAM 256M SDRAM 16M X 16 166MHz DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 16M x 16 SDRAM Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, HALOGEN AND LEAD FREE, TFBGA-54
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 - 符合 符合 符合
零件包装代码 TSOP2 BGA TSOP2 TSOP2 TSOP2 - TSOP2 TSOP2 -
包装说明 TSOP2, TFBGA, TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP2, - TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32 TFBGA,
针数 54 54 54 54 54 - 54 54 -
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant - compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST - FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns - 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 S-PBGA-B54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 - R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 S-PBGA-B54
JESD-609代码 e3/e6 - e3/e6 e3/e6 e3/e6 - e3/e6 e3/e6 -
长度 22.22 mm 8 mm 22.22 mm 22.22 mm 22.22 mm - 22.22 mm 22.22 mm 8 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit - 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM - SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 - 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 - 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 - 1 1 1
端子数量 54 54 54 54 54 - 54 54 54
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words - 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 - 16000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C - - - 70 °C 70 °C 85 °C
组织 16MX16 16MX16 16MX16 16MX16 16MX16 - 16MX16 16MX16 16MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TFBGA TSOP2 TSOP2 TSOP2 - TSOP2 TSOP2 TFBGA
封装形状 RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度） 260 NOT SPECIFIED 260 260 260 - 260 260 -
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES - YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V - 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V - 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES - YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL - - - COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH - PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH - PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH -
端子形式 GULL WING BALL GULL WING GULL WING GULL WING - GULL WING GULL WING BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm - 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL BOTTOM DUAL DUAL DUAL - DUAL DUAL BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED 40 40 40 - 40 40 -
宽度 10.16 mm 8 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm - 10.16 mm 10.16 mm 8 mm

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