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ZVP3306ASTOA

产品描述MOSFET P-Chnl 60V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小120KB,共3页
制造商Diodes Incorporated
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ZVP3306ASTOA概述

MOSFET P-Chnl 60V

ZVP3306ASTOA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
零件包装代码TO-92
包装说明TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.16 A
最大漏源导通电阻14 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-W3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

ZVP3306ASTOA相似产品对比

ZVP3306ASTOA ZVP3306ASTZ ZVP3306ASTOB
描述 MOSFET P-Chnl 60V MOSFET P-Chnl 60V MOSFET P-Chnl 60V
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 IN-LINE, R-PSIP-W3 IN-LINE, R-PSIP-W3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.16 A 0.16 A 0.16 A
最大漏源导通电阻 14 Ω 14 Ω 14 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSIP-W3 R-PSIP-W3 R-PSIP-W3
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 MATTE TIN Matte Tin (Sn) MATTE TIN
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Diodes Incorporated - Diodes Incorporated
是否Rohs认证 - 符合 符合
最高工作温度 - 200 °C 200 °C

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