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SMBD914E6327HTSA1

产品描述Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小68KB,共6页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SMBD914E6327HTSA1在线购买

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SMBD914E6327HTSA1概述

Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A

SMBD914E6327HTSA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time4 weeks
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.37 W
认证状态Not Qualified
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SMBD914/MMBD914...
Silicon Switching Diode
For high-speed switching applications
Pb-free (RoHS compliant) package
1)
Qualified according AEC Q101
SMBD914/MMBD914
!

Type
SMBD914/MMBD914
Parameter
Diode reverse voltage
Peak reverse voltage
Forward current
Package
SOT23
Configuration
single
Symbol
V
R
V
RM
I
F
I
FSM
4.5
0.5
P
tot
T
j
T
stg
370
150
-65 ... 150
Value
100
100
250
Marking
s5D
Unit
V
mA
A
Maximum Ratings
at
T
A
= 25°C, unless otherwise specified
Non-repetitive peak surge forward current
t
= 1 µs
t
=1s
Total power dissipation
T
S
54°C
Junction temperature
Storage temperature
mW
°C
Thermal Resistance
Parameter
Junction - soldering point
2)
SMBD914/MMBD914
1
Pb-containing
Symbol
R
thJS
Value
260
Unit
K/W
package may be available upon special request
2
For calculation of
R
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance
1
2007-03-28

SMBD914E6327HTSA1相似产品对比

SMBD914E6327HTSA1 MMBD914LT3HTMA1 MMBD914LT3XT
描述 Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23 Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
二极管类型 RECTIFIER DIODE 标准 RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌)
包装说明 R-PDSO-G3 - ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Reach Compliance Code compliant - compliant
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最大输出电流 0.25 A - 0.25 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.37 W - 0.37 W
参考标准 AEC-Q101 - AEC-Q101
最大反向恢复时间 0.004 µs - 0.004 µs
表面贴装 YES - YES
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED

 
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