NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED
®
-Gehäuse
Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED
®
-Package
SFH 320
SFH 320 FA
SFH 320
SFH 320 FA
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 380 nm bis 1150 nm (SFH 320) und bei
880 nm (SFH 320 FA)
• Hohe Linearität
• P-LCC-2 Gehäuse
• Gruppiert lieferbar
• Für alle Lötverfahren geeignet
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
SFH 320
SFH 320-3
SFH 320-3/-4
SFH 320-4
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P0961
Q62702-P390
Q62702-P3602
Q62702-P1606
Features
• Especially suitable for applications from
380 nm to 1150 nm (SFH 320) and of 880 nm
(SFH 320 FA)
• High linearity
• P-LCC-2 package
• Available in groups
• Suitable for all soldering methods
Applications
•
•
•
•
Miniature photointerrupters
Punched tape readers
Industrial electronics
For control and drive circuits
Typ
Type
SFH 320 FA
SFH 320 FA-3
SFH 320 FA-3/-4
SFH 320 FA-4
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P0988
Q62702-P393
Q62702-P3601
Q62702-P1607
2001-02-22
1
SFH 320, SFH 320 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
35
15
75
165
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
mA
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
2001-02-22
2
SFH 320, SFH 320 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Symbol
Symbol
SFH 320
λ
S max
λ
860
380
…
1150
Wert
Value
SFH 320 FA
900
730
…
1120
nm
nm
Einheit
Unit
Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240
µm)
A
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu
Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
0.045
0.45
×
0.45
0.5
…
0.7
0.045
0.45
×
0.45
0.5
…
0.7
mm
2
mm
×
mm
mm
L
×
B
L
×
W
H
ϕ
±
60
5.0
1 (≤ 200)
±
60
5.0
1 (≤ 200)
Grad
deg.
pF
nA
C
CE
I
CEO
2001-02-22
3
SFH 320, SFH 320 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
SFH 320/FA -2
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.1 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
SFH 320:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard
I
PCE
light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3,
E
e
= 0.1 mW/cm
2
1)
1)
Wert
Value
-3
-4
Einheit
Unit
≥
16
–
7
16 ... 32
420
6
25 ... 50
650
7
40 ... 80
1000
8
µA
µA
µs
t
r
,
t
f
V
CEsat
150
150
150
150
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
Directional Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2001-02-22
4
SFH 320, SFH 320 FA
Relative Spectral Sensitivity,
SFH 320
S
rel
=
f
(λ)
100
S
rel
%
80
OHF01121
Relative Spectral Sensitivity,
SFH 320 FA
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Ι
PCE
10
3
µ
A
OHF01924
10
2
60
10
1
4
3
2
40
10
0
20
0
400
600
800
1000 nm 1200
λ
10
-1 -3
10
10
-2
mW/cm
2
E
e
10
0
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
200
mW
P
tot
160
OHF00871
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
V
CE
),
E
e
= Parameter
Ι
PCE
10
0
mA
OHF01529
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Ι
CEO
10
1
nA
OHF01527
mW
1
2
cm
0.5
mW
cm
2
mW
cm
2
10
0
120
0.25
10
-1
10
-1
0.1
mW
cm
2
80
10
-2
40
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
10
-2
0
5
10
15
20
25
30 V 35
V
CE
10
-3
0
5
10
15
20
25
30 V 35
V
CE
Dark Current
I
CEO
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V,
E
= 0
Ι
CEO
10
3
nA
OHF01530
Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
5.0
C
CE
pF
4.0
OHF01528
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25°
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Ι
PCE 25
1.4
1.2
Ι
PCE
1.6
OHF01524
10
2
3.5
3.0
1.0
0.8
0.6
0.4
10
1
2.5
2.0
10
0
1.5
1.0
0.5
0.2
0
-25
10
-1
-25
0
25
50
75 ˚C 100
T
A
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
CE
0
25
50
75 C 100
T
A
2001-02-22
5
京公网安备 11010802033920号
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