NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BPX 81
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 440 nm bis 1070 nm
• Hohe Linearität
• Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Computer-Blitzlichtgeräte
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
BPX 81
BPX 81-2/3
BPX 81-3
BPX 81-3/4
BPX 81-4
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P20
Q62702-P3583
Q62702-P43-S3
Q62702-P3584
Q62702-P43-S4
Features
• Especially suitable for applications from
440 nm to 1070 nm
• High linearity
• One-digit array package of transparent epoxy
• Available in groups
Applications
•
•
•
•
Computer-controlled flashes
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
2001-02-21
1
BPX 81
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse, Lötzeit
t
≤
3 s
Dip soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
3 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse, Lötzeit
t
≤
5 s
Iron soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
5 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 80
230
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
32
50
200
90
750
V
mA
mA
mW
K/W
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BPX 81
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
850
440
…
1070
Einheit
Unit
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
ϕ
0.17
0.6
×
0.6
1.3
…
1.9
±
18
6
mm
2
mm
×
mm
mm
Grad
deg.
pF
C
CE
I
CEO
25 (≤ 200)
nA
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BPX 81
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
1)
1)
Symbol
Symbol
-2
Wert
Value
-3
-4
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
0.25
…
0.50
1.4
5.5
0.40
…
0.80
2.2
6
≥
0.63
3.4
8
mA
mA
µs
V
CEsat
150
150
150
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
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BPX 81
Relative Spectral Sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Photocurrent
I
PCE
/I
PCE25
o
=
f
(T
A
),
V
CE
= 5 V
Collector-Emitter Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Directional Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
2001-02-21
5
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