Trench IGBT Modules
SEMIX603GB066HD_06 | SEMiX603GAR066HD | SEMiX603GAL066HD | |
---|---|---|---|
描述 | Trench IGBT Modules | Trench IGBT Modules | Trench IGBT Modules |
是否无铅 | - | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
包装说明 | - | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11 |
针数 | - | 11 | 11 |
制造商包装代码 | - | CASE SEMIX 3 | CASE SEMIX 3 |
Reach Compliance Code | - | compli | compli |
外壳连接 | - | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | - | 800 A | 800 A |
集电极-发射极最大电压 | - | 600 V | 600 V |
配置 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
JESD-30 代码 | - | R-XUFM-X11 | R-XUFM-X11 |
JESD-609代码 | - | e3/e4 | e3/e4 |
元件数量 | - | 2 | 2 |
端子数量 | - | 11 | 11 |
最高工作温度 | - | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
参考标准 | - | IEC-60747-1 | IEC-60747-1 |
表面贴装 | - | NO | NO |
端子面层 | - | TIN/SILVER | TIN/SILVER |
端子形式 | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
端子位置 | - | UPPER | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | - | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | - | 1135 ns | 1135 ns |
标称接通时间 (ton) | - | 290 ns | 290 ns |
Base Number Matches | - | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved