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SEMIX603GB066HD_06

产品描述Trench IGBT Modules
文件大小1MB,共4页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SEMIX603GB066HD_06概述

Trench IGBT Modules

SEMIX603GB066HD_06相似产品对比

SEMIX603GB066HD_06 SEMiX603GAR066HD SEMiX603GAL066HD
描述 Trench IGBT Modules Trench IGBT Modules Trench IGBT Modules
是否无铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合
包装说明 - FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数 - 11 11
制造商包装代码 - CASE SEMIX 3 CASE SEMIX 3
Reach Compliance Code - compli compli
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) - 800 A 800 A
集电极-发射极最大电压 - 600 V 600 V
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码 - R-XUFM-X11 R-XUFM-X11
JESD-609代码 - e3/e4 e3/e4
元件数量 - 2 2
端子数量 - 11 11
最高工作温度 - 175 °C 175 °C
封装主体材料 - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
参考标准 - IEC-60747-1 IEC-60747-1
表面贴装 - NO NO
端子面层 - TIN/SILVER TIN/SILVER
端子形式 - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 - UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 - POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) - 1135 ns 1135 ns
标称接通时间 (ton) - 290 ns 290 ns
Base Number Matches - 1 1

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