SEMiX603GAR066HD,SEMiX603GAR066HD pdf中文资料,SEMiX603GAR066HD引脚图,SEMiX603GAR066HD电路-Datasheet-电子工程世界

SEMiX603GAR066HD: 产品描述Trench IGBT Modules; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共4页; 制造商SEMIKRON; 官网地址http://www.semikron.com; 标准

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SEMiX603GAR066HD概述

Trench IGBT Modules

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数	11
制造商包装代码	CASE SEMIX 3
Reach Compliance Code	compli
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	800 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码	R-XUFM-X11
JESD-609代码	e3/e4
元件数量	2
端子数量	11
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
参考标准	IEC-60747-1
表面贴装	NO
端子面层	TIN/SILVER
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	1135 ns
标称接通时间 (ton)	290 ns
Base Number Matches	1

	SEMiX603GAR066HD	SEMIX603GB066HD_06	SEMiX603GAL066HD
描述	Trench IGBT Modules	Trench IGBT Modules	Trench IGBT Modules
是否无铅	不含铅	-	不含铅
是否Rohs认证	符合	-	符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11	-	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数	11	-	11
制造商包装代码	CASE SEMIX 3	-	CASE SEMIX 3
Reach Compliance Code	compli	-	compli
外壳连接	ISOLATED	-	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	800 A	-	800 A
集电极-发射极最大电压	600 V	-	600 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码	R-XUFM-X11	-	R-XUFM-X11
JESD-609代码	e3/e4	-	e3/e4
元件数量	2	-	2
端子数量	11	-	11
最高工作温度	175 °C	-	175 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
参考标准	IEC-60747-1	-	IEC-60747-1
表面贴装	NO	-	NO
端子面层	TIN/SILVER	-	TIN/SILVER
端子形式	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	-	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL	-	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON
标称断开时间 (toff)	1135 ns	-	1135 ns
标称接通时间 (ton)	290 ns	-	290 ns
Base Number Matches	1	-	1

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