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SI6413DQ-T1-GE3

产品描述MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小89KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI6413DQ-T1-GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SI6413DQ-T1-GE3概述

MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V

SI6413DQ-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TSSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7.2 A
最大漏极电流 (ID)7.2 A
最大漏源导通电阻0.01 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层PURE MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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