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30GWJ2C48C_06

产品描述30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小323KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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30GWJ2C48C_06概述

30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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30GWJ2C48C,U30GWJ2C48C
TOSHIBA SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER STACK SCHOTTKY BARRIER TYPE
30GWJ2C48C, U30GWJ2C48C
SWITCHING MODE POWER SUPPLY APPLICATON
CONVERTER & CHOPPER APPLICATION
Repetitive Peak Reverse Voltage
Average Output Rectified Current
: V
RRM
= 40 V
: I
O
= 30 A
Low Switching Losses and Output Noise
Unit: mm
30GJ2C48C
U30GJ2C48C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
12-10D1A
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
3±0.2
12-10D2A
1
2006-11-10

30GWJ2C48C_06相似产品对比

30GWJ2C48C_06 30GWJ2C48C U30GWJ2C48C
描述 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 30 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
包装说明 - LEAD FREE, 12-10D1A, 3 PIN LEAD FREE, 12-10D2A, 3 PIN
针数 - 3 3
Reach Compliance Code - unknow unknow
应用 - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 - CATHODE CATHODE
配置 - COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 - SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 0.55 V 0.55 V
JESD-30 代码 - R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流 - 330 A 330 A
元件数量 - 2 2
相数 - 1 1
端子数量 - 3 2
最高工作温度 - 125 °C 125 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C
最大输出电流 - 30 A 30 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - 240 240
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 - 40 V 40 V
最大反向电流 - 15000 µA 15000 µA
表面贴装 - NO YES
技术 - SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 - THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 - SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches - 1 1
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