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RN1415: 产品描述Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小180KB，共8页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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RN1415概述

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

RN1415规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz
VCEsat-Max	0.3 V
Base Number Matches	1

RN1415相似产品对比

	RN1415	RN1414_07	RN1414	RN1416	RN1418	RN1417
描述	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
是否Rohs认证	符合	-	-	符合	符合	符合
零件包装代码	SOT-23	-	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	-	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55	-	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	-	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF	-	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF
集电极-发射极最大电压	50 V	-	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	-	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	50	-	50	50	50	30
JEDEC-95代码	TO-236AB	-	TO-236AB	TO-236AB	TO-236AB	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	-	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	-	1	1	1	1
端子数量	3	-	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	-	NPN	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W	-	0.2 W	0.2 W	0.2 W	0.2 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz	-	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz
VCEsat-Max	0.3 V	-	0.3 V	0.3 V	0.3 V	0.3 V

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