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2SC5233

产品描述Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小430KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC5233概述

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

2SC5233规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SC-70
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
基于收集器的最大容量7 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)300
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)130 MHz
VCEsat-Max0.25 V
Base Number Matches1

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2SC5233 2SC5233_07
描述 Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

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